לפי המצגות אמור להיות Gate Dielectric Variation במקום Gate Dielectric Functuation
ולא מופיע שום דבר בשם Rapid thermal Aneal אולי הכוונה לRandom Dopant Fluctuation (RDF) ואז זה גם נכון
Ohad Reuveni0 נקודות ·
יותר מ-6 חודשים
( תגובות)
מוניטין: 11
Fluctuation = Variation, זה אותו משמעות של סטייה מהנורמה
איך Less bitcell leakage זה לא נכון?
הרי בזיכרון דינאמי יש לי קבל שזולג יותר.
Daniel Stopel0 נקודות ·
יותר מ-6 חודשים
( תגובות)
מוניטין: 1
התבלבלתי בניסוח שואל למה זה לא לא נכון
Yuval Tevet0 נקודות ·
יותר מ-6 חודשים
( תגובות)
מוניטין: 1
אני חושב שבגלל שבזיכרון דינאמי יש פחות טרנזיסטורים אז יש פחות זרמי זליגה. בדינאמי צריך להטעין מחדש את הקבל לא בגלל שיש יותר זליגות אלא בגלל שהוא לא מקבל תמיד ממתח כמו הSRAM.
Compared to 1D-1C - eDRAM, what is Gain cell embedded RAM advantage?