מה משפר תופעת Punchthrough?
VLSI VLSI
מה משפר תופעת Punchthrough?
1
| done | ||
| done | ||
| done | ||
מיין לפי
מוניטין: 150
שקופית 74 בהרצאה על התופעות של הטרנזיסטור:
LDD, Implants, Retrograde Doping
הם פתרונות ל punchthrough
מוניטין: 141
Lecture 3 page 69/85
Punch-thorough - Drain and Source depletion regions “connect”
to each other deep underneath the channel.
solutions:
Halo Implants-p+ implants suppress the
source/drain depletion regions.
page 75
LDD- Lightly Doped Drains
Retrograde Doping
SOI-Silicon-On-Insulator
page 64
* השאלה נוספה בתאריך: 14-07-2018