סמן את המשפטים הנכונים ביחס למתח הסף Vt

אני מניח ש channel depletion = channel depth (ככה הוא קרא לזה בהרצאה) שווה לשנות את זה

איך HOT CARRIER מעלה?, זה לא תלוי בסוג המטען (אלקטרונים/חורים)?

שתי התופעות יחד גם הpolysilicon depletion וגם channel DEpth גורמות לעלייה של הtox האפקטיבי ועל כן להקטנת Cox ועל כן להגדלת VT(זה לא קשור למה ששאלת איתן)

איתן ממה שראיתי שרשום בסיכום של ההרצאות של אדי, בPMOS זה מקטין את VT ובNMOS זה מגדיל את VT.

Lecture 3 DIBL-Drain Induced Barrier Lowering In short channels, the barrier of the channel is essentially lowered Page 32/85 RSCE- Reverse Short Channel Effect VT actually rises at channel lengths a bit higher than minimum... Page 34/85 Roll Off (Short Channel Effect) VT is reduced. Page 31/85 Hot Carrier Effects increase the threshold voltage. Page 30/85 (הנחות שלי -לא בהכרח נכונות) channel deplation כאשר נוצר איזור מחסור בתעלה זה בעיקבות מטען שנמשך לכיוון השער. המטען הזה יוצר קיבול Cdep ככל שהמטען יותר גדול כך הקיבול גדל מה שמגדיל לי את מתח הסף. Page 29/85 poly depth לפי ההסברים פה אם העומק משפיע על tox כלומר מגדיל אותו, אז קיבול Cox קטן, מה שמגדיל לי את מתח הסף שוב לפי Page 29/85