VLSI

למה להשתמש בלוגיקה סינכרונית?

1

שאלה #18851

		אין צורך ב- Pipeline
		מגדיל את ההשהייה של השערים הלוגיים
		כדי לבצע יותר פעולות בזמן קצר יותר
		כדי למנוע תחרות במסלולים קריטיים

מיין לפי

Johnny Dekel 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 141

Lecture 7: Designing Sequential Logic Circuits page 14/89 All data paths are built using a pipeline of some sort, either to eliminate races or to increase throughput(תפוקה)

סמנו את כל התשובות הנכונות:

1

שאלה #18852

		DIBL מקטין את מתח הסף עקב מתח גבוה בין Drain לGate
		DIBL מגדיל את מתח הסף עקב מתח גבוה בין Drain לGate
		DIBL מקטין את מתח הסף עקב מתח גבוה בין Drain לSource
		DIBL מגדיל את מתח הסף עקב מתח גבוה בין Drain לSource

מיין לפי

Johnny Dekel 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 141

DIBL-Drain Induced Barrier Lowering Lecture 3 page 32/85 In short channels, the barrier of the channel is essentially lowered, as the drain causes the energy band to drop closer to the source.

Johnny Dekel 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 141

Lecture 3 DIBL- Drain Induced Barrier Lowering depended on phi(t) =KT/q page 45/85 GIDL - Gate Induced Drain Lowering ???? page 49/85 - Subthreshold current temperature dependent page 46/85 Gate Leakage Non-dependent on temperature page 48/85 Diode Leakage Js doubles for every 9°C page 50/85 Punchthrough ??? page 51/85 מסקנה : זרמי דיפוזיה מושפעים מטמפ׳ בעוד שזרמי סחיפה לא זרם דיפוזיה - מעבר אלקטרונים בעקבות גרדיאנט ריכוזים זרם סחיפה - מעבר אלקטרונים בעקבות שדה חשמלי

Johnny Dekel 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 141

טעות בשאלה סורי

מה משפר תופעת Punchthrough?

1

שאלה #18853

		LDD
		Halo Implants
		שינוי זיהום בתעלה (Retrograde Doping)
		Low K Dielectrics בתחמוצת

מיין לפי

Amit Bernstein 6 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 150

שקופית 74 בהרצאה על התופעות של הטרנזיסטור: LDD, Implants, Retrograde Doping הם פתרונות ל punchthrough

Johnny Dekel 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 141

Lecture 3 page 69/85 Punch-thorough - Drain and Source depletion regions “connect” to each other deep underneath the channel. solutions: Halo Implants-p+ implants suppress the source/drain depletion regions. page 75 LDD- Lightly Doped Drains Retrograde Doping SOI-Silicon-On-Insulator page 64

מה ניתן לעשות אם גילינו לאחר ייצור הצ'יפ ש T< tcq + tlogic+ tsu

1

שאלה #18855

		אין מה לעשות בנידון – לזרוק את הצ'יפ לפח
		. להעלות את מתח הספק Vdd
		להקטין את תדר השעון
		למכור אותו כסוג ב'

מיין לפי

Nir Gottfried -2 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 10

למה להקטין את תדר השעון?

Amit Biran -2 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 0

במה להגדיל את Vdd יעזור לי?

Omer Bonen 6 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 50

ברגע שתגדיל את VDD ה-TPD של כל רכיב יקטן. למדנו ש: t_su= 3I+T ולכן ככה תקטין אותו.. באותו אופן תקטין את t_cq=T_3+I_6 ואז אולי תצליח לעמוד בזמן מחזור. להקטין את תדר השעון זה להגדיל את זמן המחזור

Or Dahan 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 177

עדיין משתלם למכור אותו כסוג ב'

סמנו את כל התשובות הנכונות:

1

שאלה #18857

		Full Custom Design חוסך בשטח, הספק ומשפר ביצועים
		תכנון עם FPGA הוא חסכוני בשטח
		באמצעות Standard Cell ניתן לבצע תכנון דיגיטלי ואנלוגי
		Full Custom Design מבטיח ביצועים טובים יותר מ- Standard Cell

מיין לפי

Nitzan Tzahar 1 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 100

התשובה הנכונה אומרת שfull custom design משפר ביצועים אבל התשובה שfull custom design מבטיח ביצועים טובים יותר מstandart cell לא נכונה. זה לא נוגד אחד את השני?

Or Dahan 1 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 177

מועד א:2020 מראה שתשובה א נכונה.

איזה זרם זליגה אינו מושפע מטמפרטורה

1

שאלה #18862

		DIBL
		GIDL
		. Subthreshold current
		Gate
		. I_diode
		Punchthrough?

מיין לפי

Amit Bernstein 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 150

למה punchthrough מושפע מטמפ'?

Yotam Schultz 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 1

לפי השחזור רוברט אמר שהזרם PUNCH גדל עם הטמפ. ומשהו על שכבות המחסור שגם מושפעות מהטמפ שמשפיע על הPUNCH

Amit Bernstein 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 150

כן זה נכון, הוא מושפע כי רוחב המחסור מושפע מטמפ'

Dor Livne 3 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 445

זרמים שעוברים בgate לא מושפעים מהטמפרטורה

Johnny Dekel 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 141

Lecture 3 DIBL- Drain Induced Barrier Lowering depended on phi(t) =KT/q page 45/85 GIDL - Gate Induced Drain Lowering ???? page 49/85 - Subthreshold current temperature dependent page 46/85 Gate Leakage Non-dependent on temperature page 48/85 Diode Leakage Js doubles for every 9°C page 50/85 Punchthrough ??? page 51/85 מסקנה : זרמי דיפוזיה מושפעים מטמפ׳ בעוד שזרמי סחיפה לא זרם דיפוזיה - מעבר אלקטרונים בעקבות גרדיאנט ריכוזים זרם סחיפה - מעבר אלקטרונים בעקבות שדה חשמלי

איזה זכרון הוא בלתי נדיף? NON VOLATILE

1

שאלה #18863

		DRAM
		SRAM
		ROM
		FLASH

מיין לפי

Johnny Dekel 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 141

Lecture 6: Memory Design page 4/99 DRAM - VOLATILE SRAM-VOLATILE ROM-NON VOLATILE FLASH-NON VOLATILE

לצורך מימוש תא זיכרון SRAM 6 איזה מהביטויים הבאים נכון?

1

שאלה #18866

		KPDN>Kaccess>KPUN
		KPDN>KPUN>Kaccess
		KPDN<Kaccess<KPUN
		KPDN<KPUN<Kaccess

מיין לפי

Johnny Dekel 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 141

Lecture 6: Memory Design page 30/99 KPDN>Kaccess>KPUN

רוצים לממש תא זכרון של 1 קילו בייט ע"י שני בלוקים זהים (חצי קילו בייט לכל בלוק). בכל שורה יש 2 מילים של 32 ביט כל אחת. כמה שורות יהיו בכל בלוק כזה?

1

שאלה #18868

		32
		64
		128
		256

מיין לפי

Johnny Dekel 1 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 141

2 בלוקים זהים מייצגים קילו בייט זיכרון - 8000 ביט (2 בחזקת 13 =8192 ביט) כל בלוק 4000 ביט (2 בחזקת 12 = 4096 ביט) כל שורה בבלוק יש 64 ביט כלומר בשביל לייצג בלוק עם 4096 ביט צריך 64 שורות .

מה מיוצר בתהליך Self aligned

1

שאלה #18871

		את תחמוצת השער
		את הדיפוזיות
		את הFOX
		lighty doped drain

מיין לפי

Amit Bernstein 4 נקודות · יותר מ-6 חודשים

מוניטין: 150

"ניתן לייצר את הדיפוזיות בצורה שהשער משמש כמחסום עבור קרן האלקטרונים כך שהדיפוזיות נבנות בצורה סימטרית סביבו. כלומר, הדיפוזיות הן self-aligned." הסבר של רוברט. גם דיפוזיות הן self aligned

Discuss, Learn and be Happy דיון בשאלות

למה להשתמש בלוגיקה סינכרונית?

סמנו את כל התשובות הנכונות:

מה משפר תופעת Punchthrough?

מה ניתן לעשות אם גילינו לאחר ייצור הצ'יפ ש T< tcq + tlogic+ tsu

סמנו את כל התשובות הנכונות:

איזה זרם זליגה אינו מושפע מטמפרטורה

איזה זכרון הוא בלתי נדיף? NON VOLATILE

לצורך מימוש תא זיכרון SRAM 6 איזה מהביטויים הבאים נכון?

רוצים לממש תא זכרון של 1 קילו בייט ע"י שני בלוקים זהים (חצי קילו בייט לכל בלוק). בכל שורה יש 2 מילים של 32 ביט כל אחת. כמה שורות יהיו בכל בלוק כזה?

מה מיוצר בתהליך Self aligned

בקשה לשינוי התשובה / תיקון שאלה gavel

בקשה למחיקת השאלהmood_bad

בקשה לשינוי התשובה / תיקון שאלה

בקשה למחיקת השאלה